7月21日，西莱半导体（Wuhan）有限公司在清洁室的工程师中检查了片的硅碳化物晶片。 （照片：Wei Lu，Hubei Daily All Media记者） Hubei每日加工设备的陶瓷基座（记者Li Yuan，通讯员Zhu Lingyan，内部Xing Yixu）的直径为8英寸，碳化物碳化物Linges厚为1厘米。工作人员在计算机屏幕上点击，设备开始，激光头沿着铸锭的边缘对应。 15分钟后，切割了500微厚的碳化硅。 7月21日，中国科学技术大学的一间洁净室，山谷谷科技大学，硅半导体（Wuhan）有限公司，有限公司，在中国科学技术大学的清洁厅里。 ，有限公司（以下名称为“ Shiron”），生产线的容量是Llena，而硅碳水化合物晶片逐渐消除了这条线。 碳化硅是半导体由第三代组成的材料。与传统的单晶硅相比，用碳化硅制成的芯片可以稳定在高压和高温下。新的能源车辆将具有越来越多的负载电压，更长的负载范围，并且碳化硅将成为新能源车产业的“新最喜欢”。 碳化硅碳化物将原材料更改为炸薯条，并遭受诸如金条生长，切割，晶片抛光，光刻，包装测试等的过程。将玻璃金条很好地切入晶片的能力将迅速取决于整个工业硅芯片的总体效率。 过去，在直径100微米的钻石电缆中进行了碳化物硅树脂，就像用刀切胡萝卜一样。使用钻石电缆，厚度为1厘米的碳化物硅的化油器可以切成10,500微米的碳化物硅晶片，但每块都需要一天o切割，晶状体的损失率为50％。 碳化硅罐的价格可以达到六位数。换句话说，削减晶片的越多，芯片的成本就越低，公司的产品将更具竞争力。 随着我国新能源车产业的快速发展，对碳化硅芯片的需求急剧增加，钻石电缆切割方法的缺陷正在花费时间，并且材料的强度越来越明显，并且迫切需要将其替换为新技术。 近年来，可以追溯到Laser的硅碳化物晶圆技术出现。激光被称为“更快的刀”，但是当它们在碳化硅金银上作用时，它们并不是传统意义上的“切割”，但它们会在铸锭内部将十亿次集中在进锭内部，以改变碳化硅的结构，从而使晶状的晶状晶片“ Pele” lingot的“ Pele”。用虚拟的术语来说，这是好像太阳淹没了一个人的皮肤。 为了确保晶圆的厚度均匀，必须在相同的深度击败所有十亿个进近点。这在激光器的精确控制中提出了巨大的挑战。 为此，硅已经开发了混合光源的激光系统。经过成千上万的测试，它与获得专利技术的“自由表面晶片”一致。 在各种创新技术的支持下，该设备已成为“三头和六个武器”。这允许控制激光方法达到100微米至1000微米的范围，从而满足了不同厚度的硅碳化物晶片的生产需求。该系统提供从硬件到软件的100％自主控制能力。 一个1厘米厚的双龙可以切割15-16粒500微米的晶片，并且已经表明，单个尖端的切割时间仅需15分钟。与钻石线切割方法相比削减损失从500微米减少到75微米，损失损失率下降到15％，单个晶圆的成本降低了20％以上，绩效率超过99％。他们的技术指标与国家第三代半导体技术创新中心的深圳深夜平台开发的竞争对手类似技术，都达到了主要的国际水平。 今年5月，Siliciola First Linesilicon碳化物晶片生产是在Optics Valley生产的，其年容量超过30,000辆。目前，Silai与许多国家硅碳化物链合作。将来，将建立武汉的四到五个新生产线，预计年产量将超过10亿元人民币。 统计数据表明，它吸引了50多家公司在碳化硅所在的复合半导体领域，并且已经实施了许多重要的项目，包括高级稀有材料和Changfei Pilot，收集了超过更多30,000个创新才能。从研发，试点到大规模生产，形成覆盖完整工业链的材料和包装设备，已经建立了一个工业生态系统。